氧化铟锡(ITO)靶材化学成分测试介绍

ITO是IndiumTinOxide（氧化铟锡）的简写，是一种特别的半导体材料。这个材料的特性很奇特，既有良好的电导性，又有高度的透明性。而ITO靶材，就是以ITO材料为主要成分制成的靶材。

▶氧化铟锡(ITO)靶材分类

按照形状分类

氧化铟锡靶材按形状可以分为ITO旋转靶材和ITO平面靶材。

ITO旋转靶材因其管状特性，具有较高的利用率（80%左右），广泛用于太阳能光伏领域。

按致密度分类

按致密度可以分为高密度ITO靶材和低密度ITO靶材。

低密度ITO靶材多用于LED发光二极管透明电极。

高密度ITO靶材多用于高世代面板产线的TFT面板及OLED面板，ITO薄膜具有良好的导电性和透光性，可作为各种显示屏和触摸屏的透明导电电极。

▶氧化铟锡(ITO)靶材牌号：

序号

牌号

密度

g/cm3

原子比

In2O3:SnO2

1

IT090

7.155

90:10(±0.5)

2

IT093

7.163

93:7(±0.4)

3

IT095

7.167

95:5(±0.3)

4

IT097

7.172

97:3(±0.3)

5

IT098

7.174

98:2(±0.2)

6

IT099

7.177

99:1(±0.1)

▶氧化铟锡(ITO)靶材特性：

纯度：靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响挺大，靶材的纯度越高，溅射薄膜的均应性和批量产品质量的一致性挺好。

密度：为了减少靶材中的气孔，提高薄膜的性能，一般要求溅射靶材具有高密度。

成分与结构均匀性：为保证溅射薄膜均匀，尤其在复杂的大面积镀膜应用方面，必须做到靶材成分与结构均匀性好，这也是考虑靶材质量的重要指标之一。

▶氧化铟锡(ITO)靶材应用领域：

01显示屏和触屏技术

ITO膜可以作为电极和触控层，因为它们可以在保持透明的同时传导电流，这对于LCD显示屏和触摸屏至关重要。

02薄膜太阳能电池

ITO膜在某些类型的太阳能电池中，可以用作透明的电极层。

03保温透光领域

ITO透明导电膜玻璃作为面发热体，通电后可以除冰霜，用于飞机挡风玻璃、飞机眩窗、激光测距仪、潜望镜观察窗等，多年来已得到了广泛的应用。

04太阳能有机发光二极管（OLED）和电子纸显示（EPD）电池

在这些设备中，ITO膜是透明的电极层，允许电流通过同时让光线穿过。

▶氧化铟锡(ITO)靶材表征方法

测试项目

指标

表征方法

外观质量

ITO靶材表面粗糙度(Ra)不大于1.0μm。

ITO靶材呈黑色或灰黑色，颜色应均匀。

ITO靶材表面应清洁光滑，无指痕，无崩角，无外来夹杂物、污染物。

ITO靶材表面气孔直径应不大于0.3mm,单位面积平方厘米气孔个数不多于5个。

目视

粗糙度仪

内部质量

ITO靶材内部应无裂纹、气孔、夹杂等影响使用的质量缺陷。

超声波仪

原子比

见牌号要求

滴定法

Fe

≤0.0015

酸消解(ICP-OES)

Al

≤0.0010

酸消解(ICP-OES)

Si

≤0.0015

酸消解(ICP-OES)

Cu

≤0.0005

酸消解(ICP-OES)

Pb

≤0.0005

酸消解(ICP-OES)

Cd

≤0.0005

酸消解(ICP-OES)

Ni

≤0.0005

酸消解(ICP-OES)

Cr

≤0.0005

酸消解(ICP-OES)

Ti

≤0.0005

酸消解(ICP-OES)

杂质总和

≤0.0050

酸消解(ICP-OES)

序号

牌号

相对密度

%

电阻率Ω·cm

线膨胀系数

PPM

抗弯强度MPa

残余应力

MPa

平均晶粒尺寸μm

1

IT090

≥99.6

≤1.6×10-4

≤9

≥150

≤10

≤10

2

IT093

≥98.7

≤1.7×10-4

≤9

≥100

≤10

≤10

3

IT095

≥98.6

≤1.8×10-4

≤9

≥80

≤20

≤20

4

IT097

≥98.6

≤1.9×10-4

≤9

≥100

≤30

≤30

5

IT098

≥98.0

≤3.0×10-4

≤9

≥80

≤30

≤30

6

IT099

≥98.0

≤9.2×10-4

≤9

≥80

≤30

≤40

▶氧化铟锡(ITO)靶材相关标准

GB/T20510-2025氧化铟锡靶材

GB/T38389-2025氧化铟锡靶材化学分析方法

SL499-2010钻孔应变法测量残余应力的标准测试方法

YS/T837-2012溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

GB/T3850-2015致密烧结金属材料与硬质合金密度测定方法

GB/T6569-2006精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T13298-2015金属显微组织检验方法

GB/T16535-2008精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法

GB/T1551-2025硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

测试背景：验证ITO原材料物相结构

样品信息：ITO原材料

测试方法:JY/T0587-2025多晶体X射线衍射方法通则

测试设备：XRD

测试参数：X射线采用CuKa，靶电压：40kV；靶电流：20mA。采用Gonio方式在衍射角2Theta10°到100°之间进行扫描。

测试结果：

CompoundName

ChemicalFormula

SemiQuant(％)

01-071-2195

IndiumOxide

In2O3

95

01-077-0447

TinOxide

SnO2

5

样品的XRD图谱

样品XRD图谱与标准XRD图谱的匹配图